TS884IDT

TS884IDT是ST意法半导体推出的一款四路、轨到轨输入输出、微功耗电压比较器。该器件采用先进的CMOS工艺设计，其核心架构围绕低功耗和高精度展开，内部集成了四个独立的比较器通道，每个通道均具备完整的输入级、精密基准和推挽式输出级。其设计重点在于在极宽的电源电压范围内维持稳定的性能，同时将静态电流消耗降至最低，这使得它非常适合由电池或能量收集系统供电的长期运行应用。

该芯片的功能特点十分突出。首先，其1.1V至5.5V的宽电源电压范围赋予了极大的设计灵活性，既能用于单节电池供电的极低电压系统，也能兼容标准的3.3V或5V逻辑电平。其次，轨到轨的输入与输出能力确保了在整电源电压范围内都能检测到完整的信号幅度，最大化了动态范围并简化了信号调理电路。在精度方面，最大6mV的输入失调电压和典型值78dB的高共模抑制比（CMRR）保证了可靠的比较阈值和出色的抗干扰能力。尤为关键的是，其静态电流典型值仅为500nA，实现了性能与功耗的卓越平衡。

在接口与参数层面，TS884IDT采用推挽式输出，无需外部上拉电阻即可直接驱动CMOS或TTL逻辑输入，简化了板级设计。其内置的4.2mV典型滞后电压有效防止了在阈值点附近的输出振荡，增强了系统在噪声环境下的稳定性。尽管是一款微功耗器件，其最大传播延迟为16s，足以满足多数监控、检测和低速控制应用的需求。该器件提供14引脚SOIC封装，支持表面贴装工艺，并能在-40°C至125°C的扩展工业温度范围内稳定工作，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

基于上述特性，TS884IDT的应用场景广泛覆盖了便携式设备、电池供电的物联网传感器节点、电源监控电路、窗口比较器以及各类需要低功耗阈值检测的系统中。例如，在无线传感器网络中，它可以持续监测电池电压，在电压过低时触发预警；在智能家居设备中，可用于光感或触摸信号的检测。其高集成度（四通道）和低功耗特性，使其成为空间和能量受限，但又需要多路信号比较功能的现代电子设计的理想选择。

• 型号:TS884IDT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 线性 > 比较器
• 描述:IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:标准（通用）
• 元件数:4
• 输出类型:推挽式
• 电压 - 供电，单/双(±):1.1V ~ 5.5V
• 电压 - 输入补偿（最大值）:6mV @ 5V
• 电流 - 输入偏置（最大值）:10pA
• 电流 - 输出（典型值）:-
• 电流 - 静态（最大值）:500nA
• CMRR，PSRR（典型值）:78dB CMRR
• 传播延迟（最大值）:16s
• 滞后:4.2mV
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:14-SO
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TS884IDT是ST意法半导体生产的一款四路、微功耗、轨到轨输入输出的电压比较器。该器件核心优势在于其极宽的工作电压范围（1.1V至5.5V）与极低的静态功耗（典型值500nA），完美契合电池供电及能量收集应用对长续航和低电压运行的需求。

其轨到轨的输入输出特性确保了信号在电源电压范围内的完整利用，而最大6mV的输入失调电压和内置滞后功能则提供了稳定可靠的比较精度与抗噪声能力。该器件采用14-SOIC表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至125°C，适用于工业与消费类电子中的多路信号监测、阈值检测及电源管理等功能。