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ULN2003D1

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,ULN2003D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2003D1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2003D1是ST意法半导体推出的一款经典的高电压、大电流达林顿晶体管阵列芯片。该器件采用单片集成电路工艺,在一个紧凑的封装内集成了七个独立的NPN达林顿对管,每个通道均包含输入钳位二极管和输出续流二极管,构成了一个完整的、可直接驱动感性负载的开关解决方案。其核心架构基于达林顿对管设计,这种结构通过两级晶体管的直接耦合,实现了极高的电流增益,使得微控制器或逻辑电路仅需提供微安级的输入电流,即可控制高达500mA的负载电流,极大地简化了驱动电路的设计。

该芯片的功能特点十分突出。首先,其集成了共阴极续流二极管,用于在驱动继电器、步进电机或螺线管等感性负载时,为关断时产生的反电动势提供泄放回路,有效保护驱动晶体管和前端逻辑电路免受高压尖峰冲击,提升了系统的可靠性。其次,每个达林顿通道的输入端都串联了一个2.7kΩ的基极电阻,并与一个齐纳二极管构成输入钳位网络,这使得芯片能够直接与5V TTL或CMOS逻辑电平兼容,无需外部限流电阻,简化了PCB布局。此外,所有七个通道在电气上相互独立,可以同时或分时控制,提供了灵活的多路控制能力。

在接口与关键参数方面,ULN2003D1采用16引脚SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-20°C至85°C。其集电极-发射极击穿电压高达50V,饱和压降典型值为1.6V(在输入电流500A、负载电流350mA条件下),确保了在驱动额定电压较高的负载时仍具有足够的安全裕量。集电极截止电流最大为50A,体现了良好的关断特性。尽管该器件目前已处于停产状态,但在许多现有设备和备件市场中仍有需求,用户可通过授权的ST代理商获取库存或寻找替代方案。

由于其强大的驱动能力和内置的保护功能,ULN2003D1广泛应用于各种需要低压逻辑控制高压/大电流负载的场景。典型应用包括驱动继电器阵列以控制交流负载、作为步进电机或直流电机的相位驱动器、驱动LED显示板或白炽灯阵列、以及控制电磁阀、小型螺线管等工业自动化执行器。它为工程师提供了一个经过市场长期验证的、高性价比的接口桥梁,将脆弱的数字控制核心与强大的功率执行部件可靠地连接起来。

  • 型号:ULN2003D1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):-
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):-
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SO
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ULN2003D1是ST意法半导体生产的一款七通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16-SOIC表面贴装封装。该器件专为需要高电压、大电流开关控制的应用而设计,其核心价值在于集成了完整的驱动与保护电路。

每个通道可提供高达500mA的连续集电极电流和50V的集电极-发射极击穿电压,并内置输入基极电阻和共阴极续流二极管,使其能够直接兼容5V TTL/CMOS逻辑电平,并安全驱动继电器、电机、螺线管等感性负载。这些特性使其成为微控制器与功率负载之间高效、可靠的接口解决方案。

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