VND1NV04TR-E

VND1NV04TR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的OMNIFET II系列中的一款单通道、低边N沟道智能功率开关。该器件采用先进的VIPower M0-9技术制造，将功率MOSFET与集成的保护和控制电路单片集成。这种架构的核心优势在于，它无需外部微控制器提供独立的电源（Vcc），仅通过一个逻辑电平输入信号即可直接驱动高达36V、1.7A的负载，极大地简化了系统设计，减少了外围元件数量并节省了PCB空间。

作为一款“智能”开关，其功能特点突出体现在全面的内置保护机制上。器件具备固定阈值的限流保护，可有效防止输出短路或过载对电路造成损害；集成的热关断功能会在结温超过安全阈值时自动禁用输出，并在冷却后自动恢复，确保了在-40°C至150°C的宽结温范围内的鲁棒性。此外，它还提供了过压钳位保护，增强了在恶劣电气环境下的可靠性。其典型的导通电阻低至250毫欧，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。

在接口与参数方面，该器件采用非反相逻辑输入，兼容3.3V和5V微控制器GPIO，实现简单的开/关控制。其输出配置为低边，适用于驱动接地负载。封装形式为标准的表面贴装DPAK，支持卷带（TR）包装，适合自动化贴片生产。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

得益于其高集成度、高可靠性和易用性，VND1NV04TR-E非常适合于各种需要安全、高效功率切换的应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的继电器替代、电机控制、加热器驱动、灯泡驱动以及电磁阀控制。在工业自动化领域，它也可用于PLC输出模块、小型执行器或传感器的电源管理。其坚固的设计使其能够承受汽车负载突降等瞬态事件，是12V或24V电池供电系统中实现稳健负载管理的理想选择。

• 型号:VND1NV04TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:1.7A
• 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取VND1NV04TR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND1NV04TR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道智能高端开关。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动与保护电路，采用VIPower技术，无需外部Vcc供电，仅通过逻辑输入即可直接控制负载。

其核心参数定义了出色的性能与可靠性：最大36V的负载电压与1.7A的输出电流能力，配合低至250毫欧的典型导通电阻，确保了高效的功率传输。器件内置了全面的故障保护，包括固定限流、过热关断和过压钳位，工作结温范围宽达-40°C至150°C，适用于严苛环境。采用DPAK表面贴装封装，支持自动化生产。