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VND5E160MJ-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
原厂封装:封装:PowerSSO-12
优势价格,VND5E160MJ-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND5E160MJ-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体VIPower系列中的一员,VND5E160MJ-E是一款采用先进BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术集成的单片器件。其核心架构将功率级、保护电路与控制逻辑高效地整合在单一芯片上,实现了高功率密度与高可靠性。该芯片采用高端N通道MOSFET作为输出开关,其设计无需外部Vcc/Vdd供电,简化了系统电源设计,直接由负载电源轨驱动。

该器件具备双通道独立输出,每通道均能提供高达7A的持续输出电流,而其导通电阻典型值低至160毫欧,这有效降低了导通状态下的功率损耗和温升,提升了整体能效。其控制接口为简单的开/关逻辑电平输入,非反相设计易于与微控制器等数字逻辑电路直接连接,实现精准的负载通断管理。全面的故障保护机制是其突出特点,集成了固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位功能。当检测到过流或结温超过安全阈值时,芯片会自动关断输出;在故障条件解除后,其内置的自动重启功能会尝试恢复操作,这为系统提供了强大的鲁棒性,防止因负载短路或异常情况导致的永久性损坏。

在电气参数方面,VND5E160MJ-E支持4.5V至28V的宽范围负载电压,使其能适应12V或24V等常见的汽车与工业电源系统。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在恶劣环境下的稳定运行。器件采用表面贴装型的PowerSSO-12封装,该封装具有良好的热性能,便于在紧凑的PCB布局中进行散热管理。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购咨询。

凭借其高电流驱动能力、低导通电阻和内置保护,这款驱动器非常适合应用于对可靠性和空间有严苛要求的领域。在汽车电子中,它常用于驱动车身控制模块(BCM)中的各种负载,如座椅加热器、门窗电机、LED照明模块等。在工业自动化领域,则可作为PLC输出模块或小型电机、电磁阀的可靠开关。其“通用”开关类型和高端配置,使其成为替代机械继电器或分立MOSFET方案的理想智能化集成解决方案,尤其适用于需要智能配电和故障诊断的系统。

  • 型号:VND5E160MJ-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSSO-12
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):7A
  • 导通电阻(典型值):160 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:带有自动重启功能
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerSSO-12
  • 封装/外壳:PowerSSO-12
  • 想获取VND5E160MJ-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND5E160MJ-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,隶属于其知名的VIPower产品系列。该器件采用单片集成设计,每通道可提供高达7A的负载电流,并具备仅160毫欧的低导通电阻,能显著降低系统功耗与热耗散。

其核心特性在于集成了完备的保护功能,包括固定阈值限流、过温关断和过压保护,并配有自动重启机制,确保了驱动过程的可靠性与安全性。器件工作电压范围宽(4.5V至28V),兼容12V/24V系统,且接口为简单的开/关逻辑控制,易于集成。其PowerSSO-12封装和-40°C至150°C的宽工作结温范围,使其能够胜任汽车与工业环境中的各种阻性、感性和容性负载的驱动任务。

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