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VNS3NV04D-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,VNS3NV04D-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNS3NV04D-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNS3NV04D-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的VIPower技术平台开发的OMNIFET II系列产品之一,是一款高度集成的智能功率开关。该器件采用单片结构,将功率N沟道MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路集成在一个紧凑的8引脚SO封装内,实现了功率级与控制逻辑的无缝协同。这种架构省去了传统分立方案中所需的外部栅极驱动电路和部分保护元件,不仅简化了系统设计,也显著提升了整体方案的可靠性与功率密度。

作为一款双通道低边开关,其核心功能在于通过简单的开/关逻辑输入,独立且高效地控制两个最大36V、3.5A的负载。其导通电阻典型值仅为120毫欧,这一低导通损耗特性对于降低器件温升、提升系统效率至关重要,尤其在频繁开关或持续导通的应用中优势明显。该芯片内置了固化的保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位,这些功能在发生负载短路、异常过热或感性负载关断产生电压尖峰时,能有效保护开关自身及后续电路的安全,增强了系统的鲁棒性。对于需要可靠ST芯片方案的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取详细的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面,VNS3NV04D-E设计极为简洁。它采用非反相的逻辑输入,可直接与微控制器等数字信号源兼容,无需额外的电平转换。值得注意的是,该器件无需独立的VCC或VDD供电引脚,其内部逻辑电路由负载电源通过内部结构自供电,这进一步减少了外部元件数量和PCB空间占用。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在苛刻工业环境下的稳定运行。表面贴装的8-SO封装形式也符合现代电子装配的自动化生产要求。

凭借其集成化、高可靠性和易用性,VNS3NV04D-E非常适用于需要驱动继电器、电磁阀、小型电机、白炽灯等感性或阻性负载的场合。典型应用领域包括工业自动化中的PLC输出模块、汽车车身控制模块(如车窗升降、座椅调节)、办公设备以及智能家电的功率控制部分。它为工程师提供了一种将控制逻辑安全、高效地转换为功率输出的成熟解决方案。

  • 型号:VNS3NV04D-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):3.5A
  • 导通电阻(典型值):120 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • 想获取VNS3NV04D-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS3NV04D-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款双通道智能低边功率开关,采用VIPower技术单片集成。该器件设计用于直接驱动最高36V、3.5A的负载,其典型导通电阻低至120毫欧,能有效降低导通损耗与温升。

它通过简单的开/关接口进行控制,并内置了全面的故障保护功能,包括固定限流、过温关断和过压保护,确保了在负载异常情况下的高可靠性。该芯片无需外部供电引脚,简化了电路设计,其宽工作结温范围(-40°C至150°C)和8-SO表面贴装封装,使其成为工业控制、汽车电子及家电中功率驱动应用的紧凑而稳健的解决方案。

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