STB155N3LH6

STB155N3LH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅极工艺，在硅片层面实现了卓越的功率密度与导通性能的平衡。其核心在于显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于提升系统效率、减少功率损耗至关重要，尤其在高频开关应用中表现突出。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在同类产品中极具竞争力。其极低的导通电阻，在10V V_GS、40A I_D条件下典型值仅为3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）控制在80nC（@5V）的较低水平，结合适中的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升开关电源的整体频率和功率密度。器件支持宽范围栅极驱动电压，标准5V逻辑电平即可实现高效导通，同时栅源电压（V_GS）耐受范围达±20V，提供了良好的鲁棒性。

在接口与参数方面，STB155N3LH6的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）25°C时高达80A，漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于中低压、大电流的应用环境。其采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和功率处理能力，最大功耗可达110W（T_C）。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品、数据手册及设计资源。

凭借其高性能参数，该器件主要面向对效率和功率密度要求极高的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）中的理想选择，广泛应用于服务器电源、通信基础设施、工业电源模块以及电动工具、无人机等电池供电设备中的电机驱动与电源管理单元。其快速开关特性也使其适用于需要高频操作的负载开关和OR-ing功能电路。

• 型号:STB155N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB155N3LH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺。该器件在30V的漏源电压（V_DSS）下，能够支持高达80A（T_C）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为3毫欧，显著降低了传导损耗。

此外，其优化的动态参数，如较低的栅极电荷（80nC @ 5V）和输入电容，确保了快速的开关性能，有助于提升开关电源的效率和功率密度。器件采用D2PAK表面贴装封装，提供110W（T_C）的功率处理能力，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，适用于高可靠性要求的严苛环境。