STL90N10F7

STL90N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计融合了DeepGATE技术，通过增强栅极控制能力，有效降低了栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)），从而在功率转换和电机控制等应用中显著提升系统效率与功率密度。

该芯片的关键特性体现在其卓越的电气性能平衡上。其最大漏源电压（Vdss）为100V，在25°C壳温条件下可支持高达70A的连续漏极电流，为中等功率应用提供了充足的裕量。尤为突出的是，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值极低，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其优化的栅极电荷特性有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得系统在高频开关下仍能保持高效稳定运行。

在接口与参数方面，STL90N10F7采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种紧凑的封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的引脚布局和裸露焊盘设计也极大地改善了热性能，有助于将芯片内部产生的热量高效地传导至PCB，其结温（Tj）最高可承受175°C。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动安全范围。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、无人机电调）、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及各类工业电源和服务器电源的同步整流环节。在这些应用中，它能够有效提升整体能效，减少散热需求，并助力实现更紧凑、更可靠的终端产品设计。

• 型号:STL90N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL90N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列。该器件设计用于在100V的漏源电压下处理高达70A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为数毫欧量级，这使其在导通状态下的功率损耗降至最低。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心设计，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，支持高达175°C的结温，确保了在紧凑空间内出色的功率处理能力和热可靠性，非常适合高密度电源转换和电机驱动应用。