STN1NF10

STN1NF10是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装的SOT-223封装，其核心架构旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的良好平衡，这对于提升开关效率至关重要。其沟道设计优化了载流子迁移率，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，确保了稳定的阻断能力和可靠的性能表现。

在功能特性上，该MOSFET在10V驱动电压下，当漏极电流为500mA时，其导通电阻最大值仅为800毫欧，这有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷最大值控制在6nC（@10V），结合105pF的输入电容，意味着器件具备较快的开关速度，能够有效减少开关过渡过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较宽的安全驱动裕度，而4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）则确保了在噪声环境下的稳定关断。

从接口与电气参数来看，STN1NF10在壳温（Tc）条件下连续漏极电流额定值为1A，最大功率耗散为2.5W。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境要求。这些参数共同定义了一款适用于中小功率场景的开关器件。如需获取原厂技术支持或可靠货源，建议通过官方ST授权代理进行咨询。

在应用层面，凭借100V的耐压和1A的电流处理能力，该器件非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动控制电路、低压侧开关以及各类电源管理模块中。其SOT-223封装在提供良好散热性能的同时，也节省了PCB空间，非常适合空间受限的紧凑型设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在已有的产品生命周期维护或特定库存设计中仍具参考价值。

• 型号:STN1NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN1NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件隶属于STripFET II产品系列，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和1A的连续漏极电流（Id）处理能力，为中小功率应用提供了可靠的开关解决方案。

其电气参数表现出色，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为800毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大6nC）和输入电容（Ciss，最大105pF）确保了快速的开关特性，有利于提升系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于各种环境条件。