STW23N80K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STW23N80K5是一款采用先进超结（Super-Junction）技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和精确的电荷平衡技术，显著降低了单位面积的导通电阻（RDS(on)），从而在高压应用中提供了优异的能效表现。

该器件具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业环境中常见的电压尖峰和浪涌，确保了系统的可靠性与鲁棒性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达16A，配合仅280mΩ（典型值，条件为8A，10V）的低导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Q_g）最大值控制在33nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，提升整体开关频率和系统功率密度。

在电气参数方面，STW23N80K5展现了全面的性能。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了抗干扰能力与易驱动性的统一。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有利于实现快速、干净的开关切换。器件采用坚固的TO-247通孔封装，最大功耗能力达190W（壳温条件），并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适用于要求严苛的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等中高功率应用场景。它能够帮助设计工程师在提升系统能效和功率密度的同时，满足日益严格的能源法规要求，是构建下一代高效、紧凑型电力电子系统的理想选择。

• 型号:STW23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW23N80K5是STMicroelectronics推出的MDmesh K5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至280mΩ（@8A，10V）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于其先进的超结技术，旨在显著降低高压应用中的传导损耗。

在25°C壳温下，其连续漏极电流（I_D）为16A，最大功耗达190W。优化的动态特性，如33nC的栅极电荷（Q_g），有助于实现高效率的快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和10V的标准驱动电压，使其成为要求高可靠性和高效率的工业级电源与电机驱动应用的理想功率开关解决方案。