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VNB20N07

ST图标
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,VNB20N07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNB20N07的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNB20N07是ST意法半导体基于其先进的VIPower技术平台开发的一款单通道、低端配置的N沟道智能功率开关。该器件隶属于OMNIFET系列,采用单片集成设计,将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合于单一芯片,构成了一个高度可靠且易于控制的负载驱动解决方案。其核心架构省去了传统分立方案所需的额外栅极驱动电路和外围保护元件,不仅简化了系统设计,也显著提升了在恶劣电气环境下的鲁棒性和长期稳定性。

该芯片的功能设计充分体现了对负载安全与系统可靠性的深度考量。它集成了固定阈值的限流保护过温关断以及过压钳位等多重故障保护机制。当输出电流超过预设限值或芯片结温达到安全阈值时,内部电路会迅速动作,关断功率开关以防止损坏;同时,集成的状态标志(Status Flag)输出功能,能够向主控制器实时反馈开关的故障状态(如过载或过热),极大地方便了系统的诊断与维护。其输入接口采用非反相的开/关逻辑控制,兼容常见的微控制器GPIO电平,使得驱动各类阻性、感性和容性负载变得简单直接。

在电气参数方面,VNB20N07展现出强劲的驱动能力与高效的功率处理性能。其负载端最高可承受55V的电压,并能持续提供高达14A的输出电流。尤为突出的是其极低的导通电阻,典型值仅为50毫欧,这意味着在导通状态下产生的功耗和压降非常小,有助于提升整个系统的能效,减少散热需求。器件采用经典的D2PAK(TO-263)表面贴装封装,具有良好的功率耗散能力。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。

凭借其集成化、高可靠性和强大的保护功能,VNB20N07非常适用于需要安全、高效驱动中大功率负载的场合。典型的应用场景包括汽车电子领域中的继电器、电磁阀、电机(如风扇、雨刮器)的驱动,工业自动化中的执行器控制,以及电源管理中的配电开关。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的应用验证,使其在存量系统维护或对特定批次有要求的项目中,仍是一款值得参考的经典智能功率开关解决方案。

  • 型号:VNB20N07
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:55V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):14A
  • 导通电阻(典型值):50 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 想获取VNB20N07的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNB20N07是ST意法半导体推出的一款集成式智能高端开关,属于OMNIFET系列,采用VIPower技术制造。该器件将功率N沟道MOSFET、控制逻辑及保护电路单片集成,提供了一个完整的低端负载开关解决方案,最大负载电压55V,持续输出电流能力达14A。

其核心优势在于极高的集成度与内置的全面保护功能。器件具备极低的典型导通电阻(50mΩ),能有效减少导通损耗。同时,它集成了固定阈值限流、过温关断和过压保护,并配有状态标志输出,可实时向主控系统反馈故障信息,极大增强了驱动电路的可靠性与可维护性。

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