1N6263

在众多小信号整流与高速开关应用中，1N6263作为一款经典的肖特基势垒二极管，以其独特的金属-半导体结架构提供了卓越的性能。与传统的PN结二极管相比，其核心优势在于利用多数载流子导电机制，从根本上消除了少数载流子的存储效应，这使得器件在从正向导通到反向截止的切换过程中，无需经历漫长的电荷复合与消散过程。这种物理特性上的差异，直接决定了它在高频和快速开关电路中的不可替代性。

该器件最显著的功能特性体现在其极低的正向压降和出色的开关速度上。在15mA的额定直流电流下，其正向压降典型值仅为1V，这显著低于同级别硅PN结二极管，有助于降低电路中的导通损耗，提升整体能效。同时，其本质上极快的开关特性，使其能够胜任高达200mA级别的小信号高速整流与开关任务，有效减少开关过程中的电压尖峰和信号失真。其反向恢复时间在数据表中未明确标注，这正是肖特基二极管的典型特征理论上接近零反向恢复时间，使其在射频检波、信号采样等对速度敏感的场合表现出色。

在电气参数方面，1N6263提供了60V的最大直流反向电压，为低压电路提供了充足的安全裕度。其反向漏电流在50V反向偏压下被严格控制在200nA级别，表现出良好的反向阻断特性。此外，其结电容在零偏压、1MHz测试条件下仅为2.2pF，极低的寄生电容进一步保障了其在射频和高频应用中的信号完整性，避免对电路频率响应造成不良影响。用户可以通过ST授权代理获取原装正品，确保参数的一致性与可靠性。

得益于上述综合性能，1N6263在DO-35轴向玻璃封装的支持下，广泛应用于各类通孔安装的电路板。其典型应用场景包括高频信号检波与混频、高速逻辑电路中的钳位保护、低压差电源中的整流环节，以及精密仪器仪表中的低损耗采样开关。其紧凑的封装形式和稳定的性能，使其成为工程师在设计和优化小功率、高效率、高频率电子系统时的一个经久耐用的基础元件选择。

• 型号:1N6263
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io):15mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C
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1N6263是ST意法半导体推出的一款轴向封装肖特基二极管，专为小信号、高效率应用而设计。其核心卖点在于结合了60V的反向耐压与仅15mA的平均整流电流，特别适合低功耗电路。在15mA工作电流下，其正向压降低至1V，能有效降低导通损耗，提升系统能效。

该器件采用肖特基技术，具备极快的开关特性，适用于高速信号处理场合。其反向漏电流在50V时仅为200nA，结电容低至2.2pF（@0V, 1MHz），确保了在高频应用中的优异信号保真度与快速响应能力。DO-35通孔封装形式使其易于在传统PCB上安装与焊接。