2N6287

2N6287是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款PNP极性达林顿功率晶体管，采用经典的TO-3金属封装，具备高电流驱动能力和出色的功率处理特性。其核心架构基于双极结型晶体管（BJT）的达林顿对管设计，这种结构将两个PNP晶体管直接耦合，前级晶体管的发射极直接驱动后级晶体管的基极，从而实现了极高的电流放大倍数。这种设计使得器件在仅需微小基极驱动电流的情况下，即可控制高达20安培的集电极负载电流，极大地简化了前级驱动电路的设计复杂度，并提升了整个系统的可靠性。

该器件的功能特点突出表现在其强大的输出能力与稳健性上。集电极-发射极击穿电压高达100V，使其能够胜任中高压开关及线性调整应用。在10A集电极电流、3V集射极电压条件下，其直流电流增益（hFE）最小值可达750，这意味着优异的电流放大效率。同时，其饱和压降特性也较为出色，在200mA基极电流、20A集电极电流的典型工作条件下，VCE(sat)最大值仅为3V，有助于降低导通状态下的功耗和热损耗。其最大功耗为160W，结合TO-3封装优良的散热性能，能够有效应对高功率应用场景下的热管理挑战。

在接口与关键参数方面，2N6287作为三端器件，提供基极（B）、集电极（C）和发射极（E）三个引脚。其集电极截止电流最大值为1mA，体现了良好的关断特性。器件的工作结温（TJ）最高可达200°C，确保了在恶劣温度环境下的稳定运行能力。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存获取，相关技术支持和供货咨询可通过官方ST代理进行。

基于其高电流、高增益和高压的特性，2N6287的传统应用场景主要集中在需要大电流开关或线性控制的工业与汽车电子领域。典型应用包括电机驱动控制器（如直流电机或步进电机的H桥下臂驱动）、大功率线性稳压电源的调整管、音频功率放大器的输出级，以及电磁阀、继电器等感性负载的驱动电路。其达林顿结构对驱动电路的友好性，使其在由微控制器或逻辑电路直接驱动功率负载的系统中曾是一种经典而可靠的选择。

• 型号:2N6287
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 200mA，20A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 10A，3V
• 功率 - 最大值:160 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:TO-204AA，TO-3
• 供应商器件封装:TO-3
• 想获取2N6287的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

2N6287是STMicroelectronics生产的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-3封装。其核心卖点在于高达20A的集电极电流处理能力和100V的集射极击穿电压，能够应对严苛的功率开关与控制任务。

器件具备极高的电流增益，在10A/3V条件下hFE最小值达750，仅需微小基极电流即可驱动大负载，简化了驱动电路设计。同时，其160W的最大功耗与200°C的最高工作结温确保了在高功率应用中的热可靠性。尽管目前已停产，它曾是电机驱动、电源调整及大功率音频放大等应用中的经典解决方案。