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ESDA8V2-1MX2

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2UQFN
原厂封装:封装:2-QFN(1.45x1.0)
优势价格,ESDA8V2-1MX2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDA8V2-1MX2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款采用先进半导体工艺制造的瞬态电压抑制二极管,ESDA8V2-1MX2隶属于意法半导体广受认可的ESDA系列与TRANSIL产品家族。该器件采用紧凑的2-UFDFN表面贴装封装,其核心是一个基于齐纳原理的单向保护结构。这种架构使其能够在纳秒级时间内响应并箝制正向的过压瞬态,为后级精密电路提供有效的保护屏障。其设计重点在于实现低动态电阻与快速响应特性的平衡,确保在遭受静电放电或电快速瞬变脉冲等干扰时,能够迅速将危险电压限制在安全水平。

该器件的关键电气特性定义了其卓越的保护性能。其反向断态工作电压为5V,适用于保护典型工作电压在5V左右的信号或数据线路。其击穿电压最小值为8.2V,提供了一个明确的保护启动阈值。在承受高达27A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其箝位电压最大值被严格控制在18.5V以内,这一低箝位电压特性对于保护现代低工作电压、高灵敏度的集成电路至关重要,能最大程度减少过压应力的传递。此外,其在1MHz频率下的典型电容值为350pF,这一参数使其在保护许多中高速数据接口时,对信号完整性的影响处于可接受范围。

在接口与参数方面,ESDA8V2-1MX2是一款单向保护器件,提供单通道防护。其峰值脉冲功率处理能力达到500W,展现了强大的能量吸收能力。宽广的工作结温范围(-40°C 至 125°C)确保了其在严苛工业或汽车电子环境下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态,但对于仍在维护或生产的既有设计而言,通过可靠的ST芯片代理渠道获取原装正品,对于保证产品长期稳定性和维护供应链安全依然具有重要意义。

鉴于其通用型的保护定位与参数特性,该芯片广泛应用于需要防止静电放电和瞬态过压损害的各类电子设备中。典型应用场景包括但不限于:USB端口、HDMI接口、音频/视频输入输出线、按键及GPIO引脚等低速至中速信号线的ESD保护。它也适用于便携式消费电子、通信模块、工业控制板卡等领域的板级电路保护,为微控制器、传感器、模拟前端等易损元器件构筑起第一道防线,有效提升整机系统的电磁兼容性和可靠性。

  • 型号:ESDA8V2-1MX2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:2-QFN(1.45x1.0)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5V
  • 电压 - 击穿(最小值):8.2V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):18.5V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):27A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:500W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:350pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:2-UFDFN
  • 供应商器件封装:2-QFN(1.45x1.0)
  • 想获取ESDA8V2-1MX2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDA8V2-1MX2是意法半导体推出的一款单向瞬态电压抑制二极管,采用微型2-UFDFN封装,专为保护敏感电子线路免受静电放电及其他瞬态电压事件损害而设计。

该器件提供5V的反向断态电压,最小击穿电压为8.2V。其核心优势在于出色的箝位性能,在承受27A的大电流冲击时,能将电压有效限制在18.5V以下,同时具备350pF的典型电容值,兼顾了保护效能与信号完整性。500W的峰值脉冲功率和-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了其在各种应用环境下的可靠性与鲁棒性。

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