FERD20H100SB-TR

FERD20H100SB-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能场效应整流器二极管（FERD），采用先进的功率半导体技术构建。该器件在单芯片上集成了优化的肖特基势垒结构与先进的场效应控制机制，实现了极低的正向压降与快速的开关特性。其核心架构旨在最小化导通损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。该设计通过精密的半导体工艺，确保了在高温、高电流工作条件下的出色稳定性和可靠性。

该整流二极管具备多项突出的功能特性。其最大反向电压（Vr）为100V，能够承受较高的反向偏置，适用于多种中压应用场景。平均整流电流（Io）高达20A，表明其具备强大的电流处理能力。尤为关键的是，其在20A正向电流下的典型正向压降（Vf）仅为705mV，这一极低的导通压降直接转化为更低的功率损耗和更少的热量产生，有助于简化散热设计并提升系统能效。同时，它被归类为快速恢复二极管，其恢复速度满足快速恢复（≤ 500ns，> 200mA Io）的要求，这使其在开关电源等高频应用中能够有效减少反向恢复电流和相关的开关噪声，提升电磁兼容性（EMC）表现。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型（SMT）的DPAK封装（也称为TO-252-3或SC-63），这是一种广泛使用的功率封装形式，具有良好的散热性能和易于自动化生产的特性。其反向泄漏电流在100V反向电压下典型值为140A，处于较低水平，有助于降低待机功耗。对于需要可靠供应链和稳定供货的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持。这些参数共同定义了其在苛刻应用环境下的稳健性能。

基于其高电流能力、低正向压降和快速恢复特性，FERD20H100SB-TR非常适合于高效率开关电源（SMPS）的次级侧整流、直流-直流（DC-DC）转换器、电机驱动电路中的续流二极管，以及电池充电管理、工业控制和汽车电子等领域的功率整流应用。在这些场景中，它能够有效提升能源转换效率，减少系统体积和热管理负担，是实现紧凑、高效、可靠功率电子设计的优选元器件。

• 型号:FERD20H100SB-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 100V 20A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):705 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
• 想获取FERD20H100SB-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

FERD20H100SB-TR是ST意法半导体生产的一款高性能场效应整流器二极管（FERD）。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其高达20A的平均整流电流（Io）与100V的最大反向电压（Vr）承受能力，为中等功率应用提供了坚实的电气基础。

其技术亮点在于极低的导通损耗，在20A正向电流下，典型正向压降（Vf）仅为705mV。同时，作为一款快速恢复二极管（≤ 500ns），它能有效抑制高频开关过程中的反向恢复效应，从而降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为提升开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等系统效率与可靠性的关键元件。