FERD20U60DJFD-TR

FERD20U60DJFD-TR是ST意法半导体推出的一款高性能场效应整流器二极管，采用先进的PowerFlat封装技术，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构基于ST专利的FERD技术，该技术将优化的肖特基势垒结构与先进的沟槽工艺相结合，在单一芯片上实现了极低的正向压降与快速的开关特性。这种架构从根本上降低了导通损耗和开关损耗，使其在高温、大电流工作条件下仍能保持出色的电气性能和可靠性。

该器件具备多项突出的功能特点。其正向压降（Vf）在20A额定电流下典型值仅为510mV，显著低于传统快恢复二极管，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，它拥有快速恢复特性，恢复时间小于500纳秒，能有效抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，减少电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。其反向漏电流在60V反向电压下控制在800A水平，体现了良好的反向阻断能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，FERD20U60DJFD-TR额定为60V反向耐压和20A平均整流电流，平衡了电压裕量与电流处理能力。其采用表面贴装型的8-PowerVDFN封装，具体为PowerFlat（5x6），这种紧凑的封装具有极低的热阻和优异的散热性能，便于在空间受限的PCB布局中进行高密度安装，并通过底部裸露焊盘实现高效的热管理。这些参数使其能够胜任对效率和热性能要求严苛的场合。

基于其高性能表现，FERD20U60DJFD-TR非常适合应用于高效率开关电源（SMPS）的次级侧整流、电机驱动电路中的续流或钳位二极管、以及DC-DC转换器、太阳能逆变器和汽车电子系统中的功率整流环节。其快速恢复特性和低损耗优势，尤其有助于提升变频器、伺服驱动器等工业设备的整体能效和功率密度，是工程师设计下一代高能效功率系统的优选器件。

• 型号:FERD20U60DJFD-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 60V 20A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800 A @ 60 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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FERD20U60DJFD-TR是ST意法半导体生产的一款采用PowerFlat封装的表面贴装场效应整流器二极管。该器件核心优势在于其60V的反向耐压和20A的平均整流电流能力，并结合了FERD技术带来的极低正向压降（510mV @ 20A）与快速恢复（<500ns）特性，有效降低了导通与开关损耗。

其紧凑的8-PowerVDFN封装（5x6）提供了优异的散热性能，适用于高功率密度设计。低至800A @ 60V的反向漏电流确保了高效可靠运行。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和能源系统中次级整流与续流应用的理想解决方案。