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M24128-BFMH6TG

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 128KBIT I2C 5UFDFPN
原厂封装:封装:5-UFDFPN(1.7x1.4)
优势价格,M24128-BFMH6TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24128-BFMH6TG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体存储器产品线中的一员,M24128-BFMH6TG是一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储芯片。其核心架构采用16K x 8位的组织方式,提供总计128Kb的存储空间,内部集成了高压生成电路和智能写控制逻辑,确保数据在断电后依然能够可靠保存。该芯片通过标准的两线制IC串行接口与主控制器通信,其接口兼容IC总线标准,支持最高达1MHz的快速模式操作,能够有效减少对微控制器I/O引脚资源的占用,并简化PCB布局布线。

在功能特性上,该器件展现了出色的灵活性与可靠性。其宽电压供电范围(1.7V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗物联网设备到传统5V系统的各类应用平台。芯片内部页缓冲区支持高达64字节的页写操作,结合仅5ms的典型写周期时间,显著提升了多字节数据存储的效率。访问时间低至450ns,配合IC接口的高速模式,能满足大多数实时性要求较高的数据读写场景。其内置的写保护功能可通过硬件引脚或软件指令进行配置,为关键数据提供了额外的安全屏障。

从接口与电气参数来看,M24128-BFMH6TG在工业级温度范围(-40°C至85°C)内均能保证稳定的性能,适合在苛刻的环境下工作。其采用紧凑的5引脚UFDFN表面贴装封装,不仅节省了宝贵的电路板空间,也符合现代电子产品小型化的设计趋势。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取该器件以及相关的设计资源。其卷带(TR)和剪切带(CT)的包装形式也适配了从原型开发到大规模自动化生产的不同阶段需求。

基于上述特性,该芯片的应用场景十分广泛。它常被用于需要存储配置参数、用户设置、校准数据或事件日志的各类电子系统中,例如智能电表、工业传感器、医疗设备、消费类电子产品以及汽车电子模块。其低功耗特性与宽电压支持,使其在由电池供电的便携式设备中尤为受到青睐,成为实现设备状态持久化存储的一个可靠且经济高效的解决方案。

  • 型号:M24128-BFMH6TG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:5-UFDFPN(1.7x1.4)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 5UFDFPN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:128Kb
  • 存储器组织:16K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:5-UFDFN
  • 供应商器件封装:5-UFDFPN(1.7x1.4)
  • 想获取M24128-BFMH6TG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24128-BFMH6TG是STMicroelectronics推出的一款128Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,支持高达1MHz的通信速率,并具备1.7V至5.5V的宽工作电压范围,确保了其在多样化的电源环境下的兼容性与适用性。

其核心特性包括64字节页写能力、5ms的快速写周期以及450ns的访问时间,在提供高效数据吞吐的同时保证了操作的可靠性。器件采用5-UFDFN小型化封装,工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级范围,使其成为需要非易失性数据存储的消费电子、工业控制及汽车应用的理想选择。

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