M24128-DRMN3TP/K

M24128-DRMN3TP/K是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于先进CMOS工艺的128Kb串行EEPROM存储器。该器件采用高度可靠的浮栅技术设计，其核心存储单元阵列组织为16K x 8位结构，确保了数据的稳定存储与快速访问。内部集成了完整的电荷泵电路，使其能够在单电源电压下完成编程操作，无需额外的高压供电，简化了系统电源设计。其内置的地址寄存器和数据寄存器与IC总线控制器紧密协同，实现了高效的数据流管理。

该芯片具备多项突出的功能特性。宽电压工作范围（1.8V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台，显著提升了设计的灵活性。高达1MHz的快速IC总线时钟频率，结合450ns的快速访问时间，为需要频繁读写或实时数据记录的应用提供了优异的性能支持。其页写模式允许一次性写入多达64字节的数据，配合4ms的典型写周期时间，有效提升了大数据块写入的效率。此外，器件提供了可编程的写保护功能，通过硬件写保护引脚和软件写保护指令，为关键数据区域提供了双重安全保障。

在接口与关键参数方面，M24128-DRMN3TP/K严格遵循标准的IC两线串行接口协议，支持多达四个通过地址引脚配置的不同器件地址，方便在同一总线上进行多器件扩展。其128Kb（16KB）的存储容量足以满足大多数参数配置、日志记录和用户数据存储的需求。该器件经过了AEC-Q100标准的严格认证，属于Automotive系列，能够在-40°C至125°C的极端环境温度下稳定工作，并保证超过100万次的擦写周期以及长达100年的数据保持能力。其采用8引脚SOIC封装，符合表面贴装工艺要求，便于自动化生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关服务。

凭借其高可靠性、宽温操作和汽车级品质，这款EEPROM非常适合应用于要求苛刻的汽车电子领域，如车身控制模块（BCM）、仪表盘、传感器数据存储以及事件数据记录器（EDR）。同时，其在工业自动化（PLC、HMI）、智能电表、医疗设备、通信模块以及消费类电子产品中也具有广泛的应用前景，用于存储设备参数、校准数据、用户设置和运行日志等关键信息。

• 型号:M24128-DRMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:128Kb
• 存储器组织:16K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24128-DRMN3TP/K是ST意法半导体推出的一款128Kbit串行EEPROM存储器，采用IC接口，时钟频率最高可达1MHz。该器件提供16K x 8位的存储组织，支持宽电压供电（1.8V至5.5V），并具备快速的页写入能力。

作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，它可在-40°C至125°C的严苛温度范围内稳定工作，确保了在汽车电子及工业环境中的高可靠性。其8-SOIC封装形式适合表面贴装，满足自动化生产需求。