M24C04-DRMN8TP/K

M24C04-DRMN8TP/K 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于IC串行接口的4Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术，构成了一个512 x 8位的非易失性存储阵列，即使在完全掉电的情况下也能确保数据长期可靠保存。其核心设计针对高可靠性和低功耗进行了优化，内部集成了电压升压电路，使得在单电源电压低至1.8V时仍能执行稳定的写入操作，同时宽电压供电范围也极大地简化了系统电源设计。

该芯片的功能特性突出表现在其高速性能和工业级的鲁棒性上。它支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和高速模式（1MHz）的IC总线协议，最高时钟频率可达1MHz，配合450ns的快速访问时间，能够满足多数应用对数据交换速度的要求。其页写入能力允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据，有效提升了批量数据存储的效率，典型的字或页写入周期时间为4ms。此外，器件内置的写保护功能可通过硬件引脚控制，为防止意外写入提供了双重保障。

在接口与关键参数方面，1.8V至5.5V的宽工作电压范围使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台。该器件属于意法半导体的汽车级（Automotive）产品系列，通过了AEC-Q100认证，工作温度范围覆盖-40°C至105°C，能够适应严苛的工业与汽车电子环境。其采用8引脚SOIC封装，支持表面贴装，便于集成到高密度的PCB设计中。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及标准的IC接口，M24C04-DRMN8TP/K非常适合应用于需要参数存储、配置信息保存或事件记录的场景。典型应用包括汽车电子中的车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录，工业领域的PLC、智能电表、电机驱动，以及消费电子中的智能家电、物联网设备等，是系统设计中实现小型化、非易失性数据存储的优选解决方案。

• 型号:M24C04-DRMN8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C04-DRMN8TP/K 是一款由ST意法半导体生产的4Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，支持最高1MHz的通信时钟频率，并提供1.8V至5.5V的宽电压供电范围，确保了其在多种电源环境下的兼容性与灵活性。

其核心特性包括512 x 8位的存储结构、4ms的典型写入时间以及450ns的快速访问时间。作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，它能够在-40°C至105°C的扩展温度范围内稳定工作，并采用8-SOIC表面贴装封装，适用于对可靠性和空间有严苛要求的汽车电子及工业控制应用。