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M74HCT373TTR的图片

M74HCT373TTR

ST图标
集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-TSSOP
原厂封装:封装:20-TSSOP
优势价格,M74HCT373TTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M74HCT373TTR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M74HCT373TTR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高速CMOS逻辑器件,属于74HCT系列。该芯片的核心架构是一个八路D型透明锁存器,内部集成了八个独立的数据锁存通道,每个通道均采用经典的D触发器结构。其工作逻辑是,当锁存使能(LE)输入为高电平时,数据输入端(Dn)的状态会直接传递到输出端(Qn),呈现“透明”模式;当LE变为低电平时,输出端将锁存并保持LE下降沿时刻的输入数据状态,直至下一个高电平使能信号到来。这种设计在需要暂存数据或实现数据流控制的数字系统中至关重要。

该器件的显著功能特点在于其三态输出控制。除了数据锁存功能外,芯片还提供了一个输出使能(OE)引脚。当OE为低电平时,输出处于正常工作的高电平或低电平状态;当OE为高电平时,所有八个输出端均进入高阻抗(High-Z)状态。这一特性使得多个M74HCT373TTR可以轻松地挂接在同一数据总线上,实现总线共享与多路复用,有效避免了总线竞争,是构建微处理器或微控制器系统地址/数据总线接口驱动电路的理想选择。其输出电流能力达到±6mA,足以驱动多个TTL负载或适度的容性负载。

在接口与电气参数方面,M74HCT373TTR采用4.5V至5.5V的单电源供电,完美兼容标准的5V TTL电平系统,同时保持了CMOS电路固有的低静态功耗优势。其典型传播延迟时间为19ns,确保了在高速数据通路中的快速响应。器件工作温度范围覆盖-55°C至125°C的宽温区间,满足工业级乃至部分军用级环境的可靠性要求。芯片采用20引脚TSSOP表面贴装封装,体积紧凑,适合高密度PCB板设计。对于需要稳定供货与技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其可靠的数据锁存与总线驱动能力,M74HCT373TTR广泛应用于各类数字系统中。典型应用场景包括微处理器系统中的地址锁存器,用于在地址/数据复用总线上分离并保持稳定的地址信息;在并行数据采集系统中作为数据缓冲器,协调不同速度模块间的数据传输;此外,也常见于显示驱动、I/O端口扩展以及需要三态总线隔离的任何场合。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统维护、备件供应或对特定型号有兼容性要求的项目中,它依然是一个经过市场长期验证的经典解决方案。

  • 型号:M74HCT373TTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:20-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
  • 描述:IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-TSSOP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 逻辑类型:D 型透明锁存器
  • 电路:8:8
  • 输出类型:三态
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 独立电路:1
  • 延迟时间 - 传播:19ns
  • 电流 - 输出高、低:6mA,6mA
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:20-TSSOP
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M74HCT373TTR是ST意法半导体生产的一款八路D型三态透明锁存器。该器件采用高速CMOS(HCT)工艺制造,工作电压范围为4.5V至5.5V,可直接与5V TTL系统接口,同时具备CMOS的低功耗特性。

其核心功能是在锁存使能信号控制下,实现八位数据的透明传输或锁存保持。三态输出功能允许所有输出端进入高阻态,便于多器件并联共享总线。芯片提供19ns的典型传播延迟,输出驱动电流达±6mA,并支持-55°C至125°C的宽工作温度范围,采用20-TSSOP表面贴装封装,适用于要求高可靠性的工业与通信设备。

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