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M93S56-WMN6T的图片

M93S56-WMN6T

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M93S56-WMN6T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93S56-WMN6T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93S56-WMN6T是ST意法半导体推出的一款基于SPI接口的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术构建,其核心存储阵列组织为128个16位字,总计提供2Kb(256字节)的非易失性存储空间。数据在掉电后仍可长期保持,其内部结构经过优化,支持高效的字节和页写入操作,并集成了必要的地址解码、时序控制和高压生成电路,确保了数据读写的可靠性与稳定性。

该芯片的功能设计侧重于在嵌入式系统中提供简洁可靠的小容量参数存储解决方案。其全系列兼容的SPI接口支持高达2MHz的时钟频率,可实现快速的数据传输,同时接口模式(模式0和模式3)的灵活性便于与各种微控制器连接。宽电压供电范围(2.5V至5.5V)是其显著特点之一,使得该芯片能够无缝应用于从3.3V到5V的不同逻辑电平系统中,增强了设计的通用性。此外,芯片内置的写保护机制和可软件控制的写使能锁存,为存储数据提供了额外的安全屏障,防止意外写入。对于需要长期稳定供货支持的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取相关产品与技术支持。

在接口与关键参数方面,M93S56-WMN6T通过标准的SPI引脚(CS#, SCK, SI, SO)与主机通信,其页写入功能允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据,提升了批量数据存储的效率。典型的字节或页写入周期时间为5ms,在此期间芯片内部自动完成擦除和编程操作。器件采用8引脚SOIC封装,适合表面贴装工艺,并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,满足严苛环境的应用需求。

凭借其小尺寸、低功耗、接口简单及宽电压工作的特性,M93S56-WMN6T非常适合应用于需要存储校准数据、配置参数、状态信息或少量用户数据的场景。典型应用领域包括工业控制模块、智能传感器、计量设备、消费电子产品以及汽车电子中的辅助控制单元。在这些系统中,它常作为微控制器的外置“数据保险柜”,确保关键信息在系统重启或断电后得以完整保留。

  • 型号:M93S56-WMN6T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:128 x 16
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:2 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M93S56-WMN6T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M93S56-WMN6T是STMicroelectronics生产的一款2Kbit容量串行EEPROM存储器。该芯片采用SPI接口,最高时钟频率可达2MHz,实现了与主控制器之间简洁高效的数据通信。其宽泛的2.5V至5.5V供电电压范围,使其能够灵活适配多种电源系统。

器件组织为128x16位结构,提供非易失性数据存储,并支持字节及页写入操作,典型写周期时间为5ms。采用8-SOIC表面贴装封装,可在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠工作,适用于需要可靠存储配置参数或小规模数据的各类嵌入式应用。

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