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MJD127T4

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,MJD127T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MJD127T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MJD127T4是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能PNP达林顿功率晶体管,采用紧凑的表面贴装DPak封装。该器件内部集成了两个双极结型晶体管(BJT),构成经典的达林顿对结构。这种架构将输入晶体管的发射极直接耦合到输出晶体管的基极,实现了极高的电流增益,同时保持了单级放大的简洁性。其设计优化了内部驱动和电流路径,确保了在大电流开关和线性放大应用中的稳定性和可靠性。

该晶体管的核心优势在于其卓越的电流处理能力和高增益特性。集电极最大持续电流高达8A,并能在高达100V的集射极电压下稳定工作,这使其能够胜任中高功率的负载驱动任务。其直流电流增益(hFE)最小值在4A、4V条件下达到1000,这意味着仅需很小的基极驱动电流即可控制大的集电极电流,显著降低了前级驱动电路的设计复杂度和功耗。此外,集电极截止电流极低,最大值仅为10A,有效提升了关断状态下的能效。

在电气接口与参数方面,MJD127T4的饱和压降在8A集电极电流和80mA基极电流条件下最大为4V,这一参数对于评估其在开关应用中的导通损耗至关重要。器件最大功耗为20W,结合其高达150°C的结温工作能力,提供了良好的热设计余量。其采用的TO-252-3(DPak)封装不仅节省了PCB空间,而且金属接片为芯片提供了高效的散热路径,便于通过PCB铜箔进行热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高电压、大电流、高增益以及坚固的封装特性,MJD127T4非常适合应用于需要高效功率控制和驱动的领域。典型应用包括电机驱动电路中的H桥或半桥架构、开关电源中的辅助开关或线性稳压器、音频功率放大器的输出级,以及各种工业自动化设备中的继电器、电磁阀或指示灯驱动。其表面贴装形式也使其能够适应现代自动化贴装生产线,满足消费电子、工业控制和汽车电子等领域对高可靠性、高功率密度解决方案的需求。

  • 型号:MJD127T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):4V @ 80mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大值:20 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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MJD127T4是ST意法半导体生产的一款表面贴装型PNP达林顿功率晶体管,采用DPak(TO-252)封装。该器件设计用于处理高达8A的集电极电流和100V的集射极电压,其核心卖点在于极高的电流增益,在4A、4V条件下hFE最小值可达1000,能够以极小的基极电流实现对大功率负载的有效控制。

器件在8A电流下的饱和压降最大值为4V,最大功耗为20W,并支持高达150°C的结温工作。这些参数使其在需要高电流开关或线性放大的应用中,如电机驱动、电源管理和工业控制电路,能够提供高效、可靠的性能,同时其紧凑的封装有利于实现高功率密度的PCB设计。

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