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MJD2955T4

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 60V 10A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,MJD2955T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MJD2955T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MJD2955T4是ST意法半导体推出的一款采用表面贴装封装的高功率PNP双极性结型晶体管。该器件采用成熟的平面工艺制造,其核心架构基于垂直结构设计,确保了电流在集电极和发射极之间的高效、均匀传导。这种结构优化了芯片内部的载流子迁移路径,结合大面积金属化电极,有效降低了导通电阻和热阻,为处理大电流提供了坚实的物理基础。其内部集成了过温保护机制,当结温接近极限值时,器件性能会平稳下降,而非突然失效,增强了系统的鲁棒性。

在功能特性上,该晶体管展现了出色的功率处理能力。其集电极-发射极击穿电压高达60V,能够承受工业环境中常见的电压波动和瞬态冲击。连续集电极电流额定值为10A,峰值电流处理能力更强,使其非常适合作为开关或线性放大器中的驱动级。其饱和压降在10A电流下典型值较低,这意味着在导通状态下,器件自身的功耗较小,有助于提升整体系统的能效。此外,其直流电流增益在4A、4V条件下最小值为20,提供了足够的驱动能力,简化了前级控制电路的设计。用户可以通过授权的ST代理获取该器件的完整技术支持和供货信息。

从接口与参数来看,MJD2955T4采用标准的TO-252-3(DPak)封装,这是一种广泛使用的表面贴装功率封装,具有良好的散热性能,其金属背板可直接焊接在PCB的铜箔上以辅助散热。其最大功耗为20W,结合高达150°C的最大工作结温,赋予了它在恶劣热环境下的可靠工作能力。开关频率特性方面,其跃迁频率为2MHz,使其不仅适用于低频的线性调节和功率开关,也能胜任中频范围的开关电源应用。较低的集电极截止电流(最大50A)确保了在关断状态下的低泄漏,这对于电池供电或高能效要求的应用至关重要。

基于其高电流、中电压和良好的功率特性,MJD2955T4在多种电子系统中找到了用武之地。它常被用于电机驱动电路中作为H桥的下臂开关,驱动直流有刷电机或步进电机。在线性稳压电源低压差稳压器中,它可以作为调整管,提供稳定的大电流输出。此外,在音频功率放大器的输出级、各种继电器或电磁阀的驱动电路,以及需要PNP晶体管进行电平转换或负载开关的工业控制板卡中,它都是一个经典且可靠的选择。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计的维护和备件供应中,它依然是一个重要的参考型号。

  • 型号:MJD2955T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):8V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大值:20 W
  • 频率 - 跃迁:2MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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MJD2955T4是ST意法半导体生产的一款PNP功率双极性晶体管,采用表面贴装DPak(TO-252)封装。该器件核心参数突出,具备60V的集电极-发射极击穿电压和10A的连续集电极电流处理能力,适用于中高功率的开关与线性放大场景。

其最大功耗为20W,饱和压降特性优化,有助于降低导通损耗。器件支持高达150°C的工作结温,并拥有2MHz的跃迁频率,兼顾了功率处理能力与一定的开关速度。这些特性使其成为电机驱动、电源调整及各类工业负载控制的可靠解决方案。

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