STB20NM50-1

STB20NM50-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了极低的导通电阻与开关损耗的优异平衡。其核心设计旨在高效处理高电压与大电流，为功率转换系统提供可靠的核心开关元件。

该MOSFET具备550V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下20A的连续漏极电流能力，确保了其在严苛的离线电源环境中的稳定运行。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为250毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，器件拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），分别典型值为56nC @ 10V和1480pF @ 25V，这有助于减少驱动电路的负担，实现更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的I2PAK封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（TJ）范围为-65°C至150°C，最大功率耗散可达192W（Tc），为热管理提供了宽裕的设计空间。栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V，增强了设计的灵活性。用户可通过正规的ST授权代理获取该器件的完整技术资料与供货支持。

STB20NM50-1主要面向需要高效、可靠功率开关的工业与消费电子应用场景。它非常适合用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，例如在服务器电源、通信电源及工业电源中。此外，在电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及高频逆变器等对效率和功率密度有较高要求的系统中，它也能发挥关键作用，帮助设计者构建更紧凑、更高效的功率解决方案。

• 型号:STB20NM50-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB20NM50-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括550V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为250毫欧，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）优化了开关性能，提升了系统在如开关电源等高频应用中的整体效率与可靠性。