STB26NM60ND

STB26NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低开关损耗和传导损耗，对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。其设计充分考虑了在高频开关应用中的稳定性，通过优化内部电容参数，确保了快速且可控的开关特性。

该MOSFET具备多项突出的功能特点。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，能够从容应对工业级AC-DC电源及电机驱动中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）可达21A，结合低至175毫欧（典型条件下）的导通电阻，意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升能效。此外，其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，提供了宽裕的设计余量。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于减少驱动电路的负担并进一步优化开关速度。

在接口与关键参数方面，该器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散为190W（壳温条件）。其工作结温（T_J）最高可达150°C，确保了在高温环境下的可靠运行。输入电容（C_iss）等动态参数经过精心优化，与低栅极电荷共同作用，使其特别适用于需要高开关频率的场合。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关服务与资源。

基于其高耐压、大电流和优异的开关性能，STB26NM60ND非常适合应用于对效率和可靠性要求严苛的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及高性能照明镇流器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能表现依然代表了FDmesh II系列技术在高效功率管理解决方案中的重要价值，为后续产品开发提供了可靠的参考。

• 型号:STB26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB26NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下21A的连续漏极电流（I_D）。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，典型导通电阻（R_DS(on)）仅为175毫欧（@10.5A, 10V），栅极电荷（Q_g）最大值为54.6nC（@10V）。这一特性使其在导通损耗和开关损耗方面均有出色表现，旨在提升功率转换系统的整体效率。该器件适用于10V标准驱动，最高结温为150°C，主要面向高效的开关电源和电机驱动等应用场景。