STB45N50DM2AG

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB45N50DM2AG是一款采用先进MDmesh DM2技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻（Rds(on)）之间的卓越平衡。其核心在于第二代DM2超结技术，通过精细的单元结构和电荷平衡原理，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

在电气性能方面，该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和35A的连续漏极电流（Id）能力，为处理高功率应用提供了坚实的电压和电流余量。其导通电阻在10V驱动电压、17.5A测试条件下典型值仅为84毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC，结合2600pF的输入电容（Ciss），有助于实现更快的开关速度和降低驱动电路的损耗，从而优化高频开关性能。

器件的接口与参数设计充分考虑了可靠性与易用性。它采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的散热能力和机械强度。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的Vgs，增强了抗干扰能力；阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了明确的导通与关断控制。该芯片的额定工作结温高达150°C，最大功率耗散为250W，并符合AEC-Q101汽车级标准，展现了在恶劣环境下稳定运行的鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

基于其高性能与高可靠性，STB45N50DM2AG非常适用于要求严苛的工业与汽车电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关拓扑、电机驱动与控制电路、不间断电源（UPS）以及车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。其优异的能效和坚固性使其成为提升系统功率密度和长期运行稳定性的理想选择。

• 型号:STB45N50DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:84 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB45N50DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于先进的MDmesh DM2产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和35A的连续漏极电流（Id），为高功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至84毫欧（@17.5A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为57nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在-55°C至150°C的宽结温范围内，能够提供高效、可靠的功率开关解决方案。