STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，其核心架构旨在实现高压开关应用中的高效率与高可靠性。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，这是决定开关损耗和驱动效率的关键因素。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对离线式开关电源（SMPS）等应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合仅2欧姆（在2A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动特性经过精心调校，最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为4.5V，而栅极电荷（Qg）在10V驱动下典型值仅为26nC，这意味着它能够被快速开启和关断，同时降低了对驱动电路的要求，有助于简化设计并减少开关损耗。

在接口与参数方面，该器件支持高达±30V的栅源电压，为驱动电路提供了宽裕的安全裕度。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大值为510pF，较低的电容值有助于进一步提升高频开关性能。器件的最大结温（Tj）为150°C，在规定的热管理条件下，可承受高达70W的功率耗散，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

得益于其高压、低损耗和快速开关的特性，STB4NK60Z-1非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括液晶电视、电脑电源、照明镇流器中的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器的主开关。此外，它也适用于工业领域的电机驱动辅助电源、UPS（不间断电源）系统以及各类适配器。其稳健的设计使其成为构建可靠电力电子系统的关键组件之一。

• 型号:STB4NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STB4NK60Z-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB4NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在导通特性方面，其在10V驱动电压下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2欧姆（@2A），有效降低了导通损耗。在开关特性上，其栅极电荷（Qg）低至26nC（@10V），结合510pF的输入电容，确保了快速开关能力，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些参数使其成为离线式电源、照明和工业控制等应用中高效功率转换的理想选择。