STB5NK52ZD-1

作为ST意法半导体SuperMESH产品家族中的一员，STB5NK52ZD-1是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET。该器件基于先进的SuperMESH架构设计，这一架构通过优化单元密度和工艺技术，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。其核心设计目标是在520V的高漏源电压（Vdss）等级下，提供稳定可靠的功率开关性能。

该器件在电气特性上表现突出，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.2A电流条件下典型值仅为1.5欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在16.9nC（@10V），较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动电路损耗，这对于高频开关应用至关重要。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为4.4A，最大功率耗散为70W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温范围内的稳定运行。

在物理封装与接口方面，STB5NK52ZD-1采用通孔安装的I2PAK封装。这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于通过PCB板进行热量传导，适合需要较高可靠性的工业环境。其输入电容（Ciss）最大值为529pF（@25V），这一参数与栅极电荷共同决定了开关动态特性，工程师在设计驱动电路时需要综合考虑。对于需要获取该器件技术支持和供货渠道的开发者，可以咨询专业的ST芯片代理以获取详细资料。

凭借其高压、低损耗的特性组合，这款MOSFET主要面向要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能参数，对于理解高压MOSFET在类似应用中的选型考量仍具有重要的参考价值。

• 型号:STB5NK52ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB5NK52ZD-1是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH系列。该器件设计用于处理高达520V的漏源电压（Vdss），并在壳温条件下提供4.4A的连续漏极电流，其核心优势在于通过优化的技术实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。

具体而言，其在10V驱动电压下的典型导通电阻为1.5欧姆（@2.2A），有助于最小化传导损耗。同时，最大16.9nC的栅极电荷（@10V）确保了高效的开关性能。器件采用I2PAK通孔封装，最大功率耗散为70W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。