STB85NF3LLT4

STB85NF3LLT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能平衡。其核心架构通过优化单元密度和沟槽设计，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其高达85A的连续漏极电流承载能力（在壳温条件下）以及仅8毫欧的极低导通电阻（在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下）。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。其栅极驱动设计兼容性强，标准4.5V至10V的驱动电压即可使其充分导通，最大栅极电荷（Qg）仅为40nC（@4.5V），这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度和更高的工作频率。

在电气参数方面，STB85NF3LLT4具备30V的漏源击穿电压（Vdss），适用于常见的低压总线应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±16V，提供了充足的驱动安全裕量。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力，最大功率耗散可达110W（Tc）。宽广的结温工作范围（-65°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高电流、低损耗和快速开关的特性，该器件非常适合作为同步整流器或主开关管，广泛应用于服务器及通信设备的DC-DC电源模块、高效率电压调节模块（VRM）、电机驱动控制以及各类低压大电流的功率开关电路中。其设计旨在满足现代电子设备对功率密度和能源效率日益增长的要求。

• 型号:STB85NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB85NF3LLT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB85NF3LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用D2PAK封装，专为要求高效率和低损耗的功率开关应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻（典型值8mΩ @ 10V Vgs）与高达85A的连续电流处理能力，这使其在传导损耗方面表现卓越。同时，较低的栅极电荷（40nC @ 4.5V）确保了快速的开关性能，有助于提升系统工作频率并降低开关损耗。30V的漏源电压额定值使其成为低压、大电流电源转换和电机控制应用的理想选择。