STB9NK50ZT4

作为ST意法半导体SuperMESH系列中的一员，STB9NK50ZT4是一款采用先进功率MOSFET技术的N沟道器件。其核心架构基于优化的垂直沟槽设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。该技术通过精细的单元结构，有效降低了单位面积的特定导通电阻（Rds(on)），从而在高压应用中显著减少了传导损耗，提升了整体能效。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的功率耗散和更高的工作效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗，简化驱动电路设计，并提升开关频率潜力，这对于追求高功率密度和快速响应的应用至关重要。

在接口与关键参数上，STB9NK50ZT4采用表面贴装型D2PAK封装，具有良好的散热能力和机械强度，适合自动化生产。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达7.2A，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的安全工作区。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关服务。

凭借其高压能力和高效的开关性能，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和主开关电路、工业照明（如LED驱动）的功率转换阶段，以及家用电器中的电机控制模块。其设计平衡了性能与成本，是工程师在开发高可靠性、高效率功率系统时的一个经典型号选择。

• 型号:STB9NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB9NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，实现了500V高漏源电压（Vdss）与低导通电阻的优异组合，旨在最大限度地降低高压应用中的传导损耗。

其关键参数包括7.2A的连续漏极电流（Tc）、优化的栅极电荷（Qg）以及采用散热性能良好的D2PAK表面贴装封装。这些特性使其能够提供高效的功率开关解决方案，特别适用于要求高可靠性和高能效的工业电源、照明驱动及电机控制等应用场景。