STD10N60M2

STD10N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代改进型超级结技术，通过精密的电荷平衡机制，有效降低了单位面积的导通损耗，同时维持了稳健的雪崩耐量和快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，使其能够从容应对工业级AC-DC电源前级整流、功率因数校正（PFC）等高压应用环境。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极总电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件，实现电源系统的小型化。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其结壳热阻（RthJC）经过优化，支持高达85W（Tc）的功率耗散。连续漏极电流（Id）在壳温25°C时可达7.5A，展现了其强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性，而±25V的最大栅源电压则提供了宽裕的安全设计余量。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的可靠性与长寿命。如需获取官方技术支持与供货保障，建议通过ST授权代理进行采购与咨询。

得益于其优异的性能组合，STD10N60M2非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。它是开关模式电源（SMPS）初级侧开关、照明用电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）等系统的理想选择。其低损耗特性对于满足日益严格的能效标准（如80 PLUS）至关重要，而其稳健性则确保了终端产品在长期运行中的稳定性。

• 型号:STD10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD10N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD10N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的超级结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的低导通电阻特性，有助于显著降低功率损耗。

其关键参数包括：在10V栅极驱动下，7.5A的连续漏极电流（Id）处理能力和优化的低栅极电荷（Qg）。这些特性使其在开关电源中能够实现高效率和高频操作。器件采用DPAK表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类应用环境下的高可靠性和稳定性。