STD13NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II产品家族的一员，STD13NM60N是一款采用先进平面工艺和垂直DMOS结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡，通过优化的单元结构和外延层设计，确保了在600V高压下依然能维持稳定的电场分布和可靠的雪崩耐量。这种设计理念使得器件在开关过程中能够有效抑制寄生电容效应，为高效率的能量转换奠定了物理基础。

该器件在功能上表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为360毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合790pF的输入电容，意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关频率并简化栅极驱动电路的设计。高达±25V的栅源电压容限也为驱动电路提供了更宽的安全裕度。

在接口与关键参数方面，STD13NM600N采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热性能。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达11A，最大功率耗散为90W，结合高达150°C的结温（Tj）工作能力，确保了器件在严苛环境下的鲁棒性和长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其600V的耐压、出色的开关性能与导通特性，该MOSFET非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如反激式、正激式或功率因数校正（PFC）电路。它也是电机驱动、工业照明（如LED驱动）、不间断电源（UPS）以及家用电器中功率转换部分的理想选择，能够帮助设计工程师在提升系统性能的同时，有效控制整体成本和尺寸。

• 型号:STD13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下11A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为360毫欧，有效降低了导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值30nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为高效率开关电源、电机控制和工业功率转换应用的可靠选择。