STD30N10F7

STD30N10F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高功率密度与高效率的平衡，其核心在于通过创新的单元设计和制造工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构使得芯片在给定的封装尺寸下能够承载更高的电流，同时保持良好的开关特性，为电源转换和电机控制等应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（V_DSS）为100V，适用于常见的48V及以下总线电压系统。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）高达32A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻是关键性能指标，在10V栅极驱动电压、16A漏极电流条件下，典型值仅为24毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在19nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散为50W。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，而完全开启的阈值电压（V_GS(th)）较低，最大值仅为4.5V，这使其能够与多种逻辑电平或标准PWM控制器轻松兼容。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

基于其优异的性能组合，STD30N10F7非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动控制（如电动工具、风扇、泵类）、不间断电源（UPS）以及各类开关电源的初级或次级侧功率开关。其高电流能力和低导通电阻特性，使其成为替代传统方案、实现系统小型化和性能提升的理想选择。

• 型号:STD30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD30N10F7是ST意法半导体推出的一款采用STripFET VII技术的N沟道功率MOSFET。该器件在DPAK封装内集成了高性能，其关键参数包括100V的漏源电压（V_DSS）和在壳温25°C下达32A的连续漏极电流（I_D），提供了稳健的电压与电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V V_GS、16A I_D条件下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为24mΩ。同时，19nC的最大栅极电荷（Q_g）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其特别适用于要求高效率和高功率密度的开关电源、电机驱动及DC-DC转换器等应用场景。