STD35N3LH5

STD35N3LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在30V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。其核心设计目标是在紧凑的DPAK封装内提供高效率的功率开关能力，特别适用于对功率密度和热管理有较高要求的应用环境。

该MOSFET的显著特性在于其低导通损耗与快速开关性能。在10V的栅极驱动电压（V_GS）下，其最大导通电阻仅为16毫欧（测试条件：15A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）在4.5V驱动下最大值仅为6nC，结合725pF的典型输入电容（C_iss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。

在电气参数方面，STD35N3LH5在壳温（T_c）条件下支持高达35A的连续漏极电流，最大功率耗散为35W。其栅源电压（V_GS）可承受±20V的范围，提供了较强的栅极可靠性。器件采用表面贴装型DPAK（TO-252）封装，具有良好的功率处理能力和散热特性。宽广的结温工作范围（-55°C 至 175°C）使其能够适应严苛的环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其性能组合，该器件非常适合用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护开关以及各类电源管理模块。其紧凑的封装和优异的电气特性使其成为空间受限且对能效有要求的便携式设备、计算机外围设备和工业控制系统的理想选择之一。

• 型号:STD35N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:725 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD35N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，设计用于30V电压环境，在壳温条件下可处理高达35A的连续电流，最大功率耗散为35W。

其核心优势在于优异的导通与开关特性。在10V V_GS下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为16mΩ，有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大值6nC @ 4.5V）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并支持更高的工作频率。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）增强了其在各种环境下的可靠性。