STD46N6F7

STD46N6F7是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位芯片面积内实现了更低的导通电阻与更优的开关性能平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装内，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产装配。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id）承载能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流裕量。其关键特性在于优异的导通性能，在10V栅极驱动电压、7.5A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至14毫欧，这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC @ 10V，结合1065pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STD46N6F7的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较高的驱动灵活性。器件的结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，并能在壳温（Tc）条件下耗散高达60W的功率，展现了其稳健的鲁棒性和热可靠性。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该器件的完整技术规格、应用支持以及供应链服务。

凭借其性能组合，这款MOSFET非常适合用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类电源管理系统。其DPAK封装和表面贴装形式使其能广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备等领域的电源板卡设计中，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

• 型号:STD46N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1065 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD46N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和DPAK封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了可靠的开关基础。

该器件的突出优势在于其低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V Vgs条件下，其Rds(on)低至14毫欧（@7.5A），能显著降低传导损耗；同时，最大17nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，热性能稳健。