STD7N60M2

STD7N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心在于通过改进的单元几何结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速开关特性和坚固性，为高效率功率转换提供了可靠的半导体基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源及电机驱动中常见的电压应力。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数共同作用，有效降低了开关过程中的驱动损耗，提升了开关频率潜力，有助于实现电源系统的小型化。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数层面，STD7N60M2采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力和便于自动化生产的优势。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为5A，最大功耗为60W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供货稳定的重要途径。

凭借其性能组合，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器。在这些场景中，其快速开关能力和低导通损耗有助于提升整体能效，而高耐压特性则增强了系统对电压浪涌的抵御能力，是工程师设计紧凑型、高性能功率电子系统的优选功率开关元件。

• 型号:STD7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7N60M2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与较低的导通电阻（Rds(on)）相结合，有效降低了功率开关应用中的传导损耗。

其电气参数针对高效开关进行了优化，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于实现更快的开关速度和降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件额定连续漏极电流（Id）为5A（Tc），工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），确保了在工业级电源、照明和电机控制等应用中的鲁棒性和长期可靠性。