STE30NK90Z

STE30NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道设计，通过优化单元结构和外延层工艺，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心架构旨在平衡高耐压与低损耗之间的矛盾，通过精细的栅极设计和终端结构，确保了在高压开关应用中的稳定性和可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达900V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和浪涌。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值可达28A，展现出强大的电流处理能力。导通电阻（Rds(on)）是衡量开关损耗的关键指标，STE30NK90Z在10V栅极驱动电压、14A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为260毫欧，这意味着在导通期间产生的热量更低，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声免疫性，而±30V的最大栅源电压则增强了栅极驱动的鲁棒性。

在动态参数方面，该器件在10V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值为490nC，结合12000pF（在25V Vds下）的输入电容（Ciss），决定了其开关速度与驱动电路的设计需求。较低的Qg有助于减少开关损耗，尤其是在高频应用场景中。其功率耗散能力在壳温条件下最高可达500W，结合ISOTOP封装优异的散热性能，为器件在高功率密度设计中稳定运行提供了保障。该封装采用底座安装方式，便于与散热器紧密贴合，工作结温范围覆盖-65°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要获取此型号技术支持和供货信息的工程师，可以通过授权的ST代理商进行咨询。

凭借900V的高耐压、28A的电流能力以及SuperMESH技术带来的低导通电阻，STE30NK90Z非常适用于对效率和可靠性有严格要求的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及焊接设备等高压功率转换领域。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它仍是一个经过市场验证的高性能选择。

• 型号:STE30NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE30NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心参数包括900V的漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动、14A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为260毫欧，有效降低了导通损耗。同时，490nC（@10V）的栅极电荷（Qg）与500W（Tc）的功率耗散能力，使其在追求高效率与高可靠性的功率开关设计中表现出色，适用于开关电源、电机驱动等严苛的工业环境。