STE70NM50

作为ST意法半导体MDmesh系列中的一员，STE70NM50是一款采用ISOTOP封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的垂直DMOS结构，其核心优势在于通过优化的单元布局和栅极设计，在高压条件下实现了极低的导通电阻与开关损耗的平衡。其内部结构专为高效能量转换而设计，确保了在高功率密度应用中的可靠性与性能稳定性。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压(Vdss)和70A的连续漏极电流(Id)能力，这使其能够从容应对工业级功率环境中的电压应力和电流负载。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、30A电流条件下典型值仅为50毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷(Qg)最大值控制在266nC，结合优化的内部电容特性，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，这对于开关电源和电机驱动等动态应用至关重要。

在电气接口与参数方面，该器件设计有宽泛的栅极驱动电压范围，最大可承受±30V的Vgs，增强了驱动电路的鲁棒性。其最大功率耗散能力高达600W（基于外壳温度Tc），并且结温(TJ)最高可工作至150°C，展现了出色的热性能和功率处理能力。ISOTOP封装不仅提供了优异的电气隔离，其底座安装方式也优化了热传导路径，便于通过散热器将芯片产生的热量高效导出，从而在严苛的热环境下维持稳定的工作状态。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高压、大电流和低损耗的特性组合，STE70NM50非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括工业开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)和主开关拓扑、大功率电机驱动与控制器、不同断电源(UPS)系统以及电焊机等专业工业设备。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能指标，对于理解高压功率MOSFET在能量密集型系统中的应用仍具有重要的参考价值。

• 型号:STE70NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• 想获取STE70NM50的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STE70NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心电气参数包括500V的漏源电压(Vdss)和70A的连续漏极电流(Id)，能够满足高压大功率应用的需求。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至50毫欧（@30A），这显著降低了功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷(Qg)与电容参数有助于实现高效的开关性能。该器件设计支持高达600W的功率耗散，工作结温可达150°C，结合其封装特性，确保了在高热负荷下的可靠运行。