STF17N80K5

STF17N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合仅340mΩ（典型条件下）的低导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较高的噪声裕度。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值26nC）和输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗和驱动电路的设计复杂度，提升系统在高频下的工作性能。

在电气参数方面，STF17N80K5展现了全面的可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，有助于防止误触发。器件采用TO-220FP封装，这种绝缘封装版本增强了安装的便利性和系统的绝缘安全性，最大功率耗散为30W（Tc）。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询。

凭借高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STF17N80K5非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑的理想选择，能够有效提升AC-DC电源的能效等级。在工业领域，该器件可用于电机驱动、UPS（不间断电源）和焊接设备的逆变器部分。此外，在照明驱动、空调变频器等消费及工业电子设备中，它也能发挥出色的性能，帮助设计者实现更高效、更紧凑的电源解决方案。

• 型号:STF17N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF17N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和14A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至340mΩ，有助于显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性确保了快速的开关速度，有利于提升系统频率和效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及高效照明系统等应用中功率转换级的关键元件。