STF5N105K5

STF5N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元密度和电荷平衡技术，在实现极低导通电阻的同时，显著提升了开关性能和雪崩耐量。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而在1050V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能保持出色的可靠性和稳定性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下，典型值仅为3.5欧姆，这有助于在导通期间最大限度地降低传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在12.5nC，结合210pF（@100V）的输入电容，确保了快速的开关转换和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。器件栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

在接口与封装方面，STF5N105K5采用经典的TO-220通孔封装，便于在散热器上安装以实现高效的热管理。其最大功率耗散能力在壳温（Tc）条件下为25W，结合封装特性，为处理开关过程中的功率损耗提供了便利。该器件在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）额定值为3A，阈值电压Vgs(th)最大为5V（@100A），这些参数共同定义了其稳健的开关操作窗口，使得驱动电路的设计更为直观可靠。

凭借1050V的高耐压和优化的动态特性，STF5N105K5非常适用于需要处理高压直流母线的场合。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关能力的结合，有助于实现高功率密度和高能效的系统设计，满足现代电力电子设备对性能与可靠性的双重需求。

• 型号:STF5N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220 整包
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220 整包
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括1050V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下3A的连续漏极电流（Id）能力。

该器件在电气性能上进行了优化，旨在平衡导通损耗与开关损耗。其最大导通电阻仅为3.5欧姆（@1.5A， 10V），而栅极电荷（Qg）被控制在12.5nC（@10V）以内，这有助于提升系统的整体效率。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为25W（Tc），并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在多种应用环境下的可靠性与耐用性。