STF7N95K3

STF7N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和沟槽设计，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升开关电源等高频应用的整体效率至关重要。得益于ST在功率半导体领域深厚的技术积累，这款MOSFET在栅极电荷管理、体二极管反向恢复特性以及热稳定性方面均表现出色，为设计高可靠性、高效率的功率转换系统提供了坚实的硬件基础。

该器件具备一系列突出的功能特性。其950V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动和开关尖峰，提供了充裕的设计裕量。在导通特性上，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值远低于1.35欧姆（@3.6A），这意味着在相同电流下产生的导通损耗更小，有助于降低温升并提升系统能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）参数，最大值仅为33nC（@10V），显著降低了驱动电路的负担和开关过程中的损耗，有利于实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积和系统尺寸。

在接口与关键参数方面，STF7N95K3采用标准的TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）为25°C时可达7.2A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，确保了驱动的安全性与灵活性。器件的输入电容（Ciss）和跨导等动态参数经过精心调校，与SuperMESH3技术的快速开关特性相结合，能够有效抑制电压过冲和振荡现象。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合35W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的中国市场用户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、低损耗和坚固耐用的特点，STF7N95K3非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在离线式反激、正激或半桥拓扑的电源适配器、PC电源、工业电源及LED驱动电源中扮演核心角色。此外，在电机驱动控制、不间断电源（UPS）、电焊机以及光伏逆变器的辅助电源部分，也能见到其身影。其优异的性能使其成为工程师在设计和升级中高功率密度、高能效电源解决方案时的可靠选择。

• 型号:STF7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心优势在于其950V的高漏源耐压（Vdss）与低至1.35欧姆（最大值）的导通电阻的卓越组合，这确保了其在高压开关应用中既能承受电压应力，又能有效降低导通损耗。

其技术参数针对高效开关进行了优化，包括7.2A的连续漏极电流能力、仅33nC的低栅极电荷（Qg）以及宽达-55°C至150°C的工作结温范围。这些特性使其特别适用于需要高可靠性和高效率的场合，如工业级开关电源、电机驱动和功率转换系统，为设计人员提供了兼顾性能与成本的优质功率开关解决方案。