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STF826

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 30V 3A SOT-89-3
原厂封装:封装:SOT-89-3
优势价格,STF826的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STF826的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STF826是ST意法半导体推出的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),采用表面贴装SOT-89(TO-243AA)封装。该器件集成了ST在功率半导体领域成熟的工艺技术,其核心架构基于优化的PNP结设计,旨在实现高电流处理能力与快速开关特性的平衡。内部结构通过精确的掺杂和布局控制,确保了在宽泛的工作条件下保持稳定的电气性能,其结温(TJ)最高可达150°C,为在高温环境下可靠运行提供了保障。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的电流驱动与开关控制能力上。集电极最大连续电流(Ic)高达3A,配合集射极击穿电压(Vceo)30V的额定值,使其能够胜任中功率的开关与线性放大任务。其饱和压降(Vce(sat))在典型工作条件下(Ic=3A, Ib=150mA)最大仅为1.1V,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升整体系统的能效。同时,器件具有高达100MHz的跃迁频率,保证了其在开关电源、电机驱动等需要快速响应场景下的适用性。其直流电流增益(hFE)最小值在Ic=100mA, Vce=2V条件下为100,提供了良好的电流放大特性。

在接口与关键参数方面,STF826作为一款单PNP晶体管,其引脚定义符合SOT-89封装标准,便于PCB布局设计。除了上述核心参数,其集电极截止电流(Icbo)最大值为100A,体现了良好的关断特性。最大功耗为1.4W,用户在设计散热时需要将此作为重要参考。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取相关的产品资料、样品以及采购信息。

基于其参数特性,STF826非常适合应用于多种中功率电子系统中。典型的应用场景包括DC-DC转换器中的开关元件、线性稳压器的调整管、电机驱动电路中的H桥下臂驱动,以及各类负载开关和继电器驱动电路。其表面贴装形式也使其能够适应现代紧凑型电子设备的生产需求。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有产品设计和备件供应中,它仍然是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:STF826
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 30V 3A SOT-89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.1V @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值:1.4 W
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • 想获取STF826的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF826是ST意法半导体生产的一款PNP型表面贴装双极性晶体管,采用SOT-89封装。其核心卖点在于3A的高集电极电流30V的集射极击穿电压,能够处理中功率级别的开关与放大任务。

该器件在导通时具有较低的饱和压降(最大1.1V @ 3A),有助于减少导通损耗。其直流电流增益(hFE)最小值为100,并支持高达100MHz的开关频率,兼顾了放大能力与开关速度。最大功耗1.4W,工作结温可达150°C,确保了在要求严苛环境下的稳定性和可靠性。

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