STFI31N65M5

STFI31N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，专为要求高耐压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电设计，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的开关性能上。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达22A，确保了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、11A电流条件下典型值仅为148毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在接口与关键参数方面，该器件在100V漏源电压下的输入电容（Ciss）最大值为1865pF，这是评估开关速度与驱动需求的重要指标。其最大功率耗散能力为30W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了其良好的热性能和可靠性。这些参数共同定义了其在严苛环境下的稳定运行边界。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关的技术支持和库存信息。

STFI31N65M5典型的应用场景覆盖了中高功率的开关电源领域。它非常适合用作功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关，以及电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中的功率开关元件。其高耐压和低损耗特性使其在追求高能效和功率密度的工业与消费类电源设计中成为理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类解决方案中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STFI31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI31N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAKFP通孔封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与低导通电阻的出色结合，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为148毫欧（@11A），同时栅极电荷（Qg）最大值低至45nC。

这些参数共同确保了器件在高频开关应用中兼具低传导损耗和低开关损耗，有助于提升整体电源系统的效率。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时可达22A，最大结温为150°C，提供了稳健的电流处理能力和热可靠性，适用于对效率和功率密度有较高要求的工业级电源设计。