STP220N6F7

STP220N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET F7产品系列。该器件采用N沟道设计，基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。通过优化的单元结构和先进的工艺技术，该芯片在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡，这是评估功率MOSFET效率的关键品质因数（FOM）。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达60V，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达120A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流的典型工作条件下，其导通电阻典型值低至2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_G）在10V条件下最大值为100nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使开关频率得以提升。

在接口与电气参数方面，该MOSFET采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全范围。阈值电压（V_GS(th)）最大为4V @ 250A，具有典型的增强型MOSFET特性。其输入电容（C_iss）在25V漏源电压下最大为6400pF。器件的最大功耗在壳温条件下为237W，结温工作范围宽达-55°C 至 175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要本地技术支持和供货保障的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取详细的技术资料和采购服务。

凭借其高电流能力、低导通电阻和稳健的封装，STP220N6F7非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动电路中的H桥开关、以及DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）中的主开关管。在工业电源、电动工具、不间断电源（UPS）和汽车辅助系统等领域的功率开关和电源管理模块中，该器件都能发挥其高效、可靠的性能优势，帮助工程师优化系统设计，提升产品竞争力。

• 型号:STP220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:237W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP220N6F7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP220N6F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达120A的连续漏极电流处理能力与低至2毫欧的极低导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这显著降低了功率转换过程中的传导损耗。

该器件设计用于60V的漏源电压环境，栅极驱动电压为10V，并具备较低的栅极电荷（最大100nC @ 10V），有助于实现高效率的快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和237W的最大功耗能力，确保了其在 demanding 应用中的高可靠性与稳健性。