STFILED524

STFILED524是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于I2PAKFP（TO-281）通孔封装中。其核心设计旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理能力，内部结构优化了栅极控制与电流通路，确保了器件在高压、大电流工况下的稳定性和可靠性。

该器件具备525V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换、电机驱动等应用中的电压应力。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合仅2.6欧姆的低导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=2.2A），有效降低了导通损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动特性经过精心调校，最大栅源电压（Vgs）为±30V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC（Vgs=10V），这意味着它所需的驱动能量小，有助于简化驱动电路设计并实现更高的开关频率，减少开关过程中的损耗。

在接口与关键参数方面，STFILED524的输入电容（Ciss）在Vds=100V时最大值为340pF，较低的电容值进一步支持了快速开关性能。器件的最大功率耗散为20W（Tc），并支持宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），确保了其在严苛环境下的鲁棒性。其I2PAKFP封装提供了良好的机械强度和散热特性，便于在功率板上进行安装和热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术资料。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STFILED524非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及中小功率的电机驱动和逆变器应用。在这些场景中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是工程师设计高性能、高可靠性电力电子系统的优选功率开关器件之一。

• 制造商产品型号：STFILED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
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STFILED524是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装。其核心优势在于525V的高漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高压功率转换场景。

该器件通过仅2.6欧姆的低导通电阻（Rds(on)）和12nC的低栅极电荷（Qg），显著降低了导通与开关损耗，有助于提升系统效率并支持更高频率的开关操作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。