STFU13N60M2

STFU13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面工艺和TO-220FP封装，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这一特性对于提升开关电源和电机驱动的效率至关重要，能够有效降低导通损耗和开关损耗。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，确保在工业级AC-DC变换、功率因数校正（PFC）等高压场合下的稳定运行。其快速开关特性得益于优化的内部结构，有助于减小开关过程中的电压电流重叠，从而降低开关噪声并提升系统整体电磁兼容性（EMC）表现。TO-220FP封装在提供与标准TO-220相似功率处理能力的同时，采用了全塑封设计，增强了电气绝缘性，简化了散热器安装时的绝缘处理流程。

在接口与关键参数方面，该MOSFET的驱动门槛电压（Vgs(th)）设计合理，与主流控制器兼容性好，便于驱动电路设计。其低栅极电荷特性显著降低了对驱动电流的需求，使得可以采用更小、更经济的栅极驱动器，有助于系统小型化和成本优化。器件的安全工作区（SOA）宽裕，热性能稳定，能够承受一定的脉冲电流冲击，适合有浪涌电流的应用环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

STFU13N60M2典型的应用场景覆盖了广泛的工业与消费电子领域。它非常适合用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，特别是在服务器电源、通信电源、LED驱动电源以及PC和电视的适配器中，其高效能表现有助于满足日益严格的能效标准。此外，在电机控制领域，如风扇驱动、小型变频器以及不间断电源（UPS）的逆变桥臂中，该器件也能提供可靠的功率开关解决方案。其稳健的设计使其成为要求高耐用性和长期稳定性的工业自动化设备的理想选择。

• 型号:STFU13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STFU13N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STFU13N60M2是ST意法半导体生产的一款有源、单N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。作为晶体管-FET系列中的一员，其核心定位是为高压开关应用提供高效的功率处理能力。

该器件设计用于处理高达600V的漏源电压，适用于离线式电源转换等高压环境。其技术参数经过优化，旨在实现低导通损耗与快速开关性能的平衡，从而提升系统整体效率。TO-220FP封装提供了良好的功率耗散能力和安装便利性，适合需要电气隔离和有效热管理的应用场景。