STH260N6F6-6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH260N6F6-6是一款采用先进H2PAK-6封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET VI产品系列，并应用了DeepGATE技术，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在保持高电流处理能力的同时，显著降低了栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)），这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的突出功能特性体现在其优异的电气参数上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为2.4毫欧（@60A），这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其漏源电压（Vdss）额定值为60V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达180A，使其能够胜任大电流开关任务。其栅极电荷（Qg）最大值控制在183nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，而高达±20V的栅源电压（Vgs）容限则提供了更强的抗干扰能力。

在接口与关键参数方面，STH260N6F6-6采用表面贴装型H2PAK-6封装，这种封装具有良好的热性能和功率耗散能力，其最大功率耗散为300W（Tc）。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。其输入电容（Ciss）为11800pF，阈值电压Vgs(th)最大值为4V，这些参数为设计高效的栅极驱动和保护电路提供了明确依据。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和库存信息。

基于其高电流、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度要求极高的场景。典型应用包括服务器和电信设备的同步整流DC-DC转换器、高性能计算（HPC）的VRM（电压调节模块），以及工业电源、电机驱动和电焊机等大功率开关系统。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续的高效功率器件提供了重要参考。

• 型号:STH260N6F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH260N6F6-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装，属于STripFET VI系列并应用DeepGATE技术。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，在10V栅极驱动下，Rds(on)典型值低至2.4毫欧（@60A），连续漏极电流（Id）高达180A（Tc），有效降低了功率转换系统中的传导损耗。

该器件设计用于高效开关应用，其栅极电荷（Qg）最大值为183nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。60V的漏源电压（Vdss）额定值及宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），使其能够稳定运行于要求严苛的工业与通信电源环境中，例如同步整流和电机驱动电路。