STH270N4F3-2

作为意法半导体（STMicroelectronics）旗下STripFET III技术平台的重要成员，STH270N4F3-2是一款专为严苛环境设计的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能。其1.7毫欧（@10V, 80A）的超低导通电阻（Rds(on)）是这一架构的直接体现，显著降低了功率转换和开关应用中的传导损耗，提升了系统整体效率。

在功能特性上，该器件展现了强大的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达180A，同时漏源击穿电压（Vdss）为40V，使其非常适合处理高电流、中低电压的功率路径。其栅极电荷（Qg）典型值较低，结合优化的内部结构，有助于减少开关过程中的损耗并简化栅极驱动设计。此外，其设计符合AEC-Q101标准，属于汽车级产品系列，确保了在宽温度范围（-55°C至175°C结温）和振动环境下的高可靠性，用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与关键参数方面，该MOSFET采用HPAK（H2PAK）表面贴装封装，这种封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，适合高功率密度应用。其驱动电压（Vgs）标准为10V，最大可承受±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动安全裕度。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，在实现快速开关的同时，有助于控制电磁干扰（EMI）。尽管该产品目前已处于停产状态，但其参数组合包括300W（Tc）的最大功率耗散能力依然代表了其在同类解决方案中的高性能定位。

基于其高电流能力、低导通电阻以及汽车级的可靠性，STH270N4F3-2主要面向对效率和鲁棒性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如电动助力转向、风扇控制）、DC-DC转换器，以及工业领域中的电源开关、负载开关和同步整流等。在这些场景中，它能够有效管理功率流，提升能效，并承受汽车电子或工业环境中的电气应力和温度循环。

• 型号:STH270N4F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• 想获取STH270N4F3-2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH270N4F3-2是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级STripFET III产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至1.7毫欧（@10V, 80A），配合高达180A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够显著降低高电流应用中的传导损耗。

该器件采用HPAK封装，具备优异的散热特性，最大功率耗散达300W（Tc），工作结温范围宽至-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。其40V的漏源电压和优化的栅极电荷（150nC @10V）使其成为汽车电机驱动、高效DC-DC转换及各类电源管理解决方案中的高性能开关元件。