STH52N10LF3-2AG

STH52N10LF3-2AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现卓越的功率密度与开关效率的平衡。其核心设计聚焦于降低单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），这对于提升系统能效、减少开关损耗至关重要。得益于先进的沟槽栅和单元布局技术，该芯片在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和26A漏极电流条件下，典型值仅为20毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使其在高电流应用中能够显著降低温升。同时，其优化的栅极电荷（典型值18.5nC @ 5V）确保了快速的开关切换能力，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。其阈值电压（V_GS(th)）设计合理，最大值仅为2.5V，与标准逻辑电平或微控制器GPIO口具有良好的兼容性，简化了驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，STH52N10LF3-2AG提供了100V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达52A的连续漏极电流（I_D）承载能力，这使其能够稳健地应对工业环境中的电压尖峰和持续大电流负载。其采用表面贴装型H2PAK-2封装，该封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，有助于将芯片结温（T_J）控制在-55°C至175°C的宽工作温度范围内，并支持高达110W（T_C=25°C时）的功率耗散。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品，确保原厂正品和技术支持。

凭借其高耐压、大电流和高效能特性，该MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、以及各类需要高效开关的负载开关和OR-ing电路。其稳健的性能使其成为提升系统整体能效和功率密度的关键元器件。

• 制造商产品型号：STH52N10LF3-2AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F3
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 26A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.5nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• 想获取STH52N10LF3-2AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH52N10LF3-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F3产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡。

其关键参数包括100V的漏源电压（Vdss）和52A的连续漏极电流（Id）能力，确保了强大的功率处理基础。性能亮点在于极低的导通电阻（典型20mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（典型18.5nC @ 5V），这直接转化为更低的传导损耗和更快的开关速度，从而提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和110W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性。