STH80N10LF7-2AG

STH80N10LF7-2AG是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET技术，并符合AEC-Q101汽车级标准，专为要求严苛的汽车电子和高可靠性工业应用而设计。其核心架构基于优化的垂直沟槽栅极设计，这种结构在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关性能和栅极电荷控制能力。该器件采用H2PAK-2功率封装，这种封装形式提供了卓越的热性能和功率处理能力，其紧凑的表面贴装设计有利于实现高功率密度和高效的PCB布局。

该器件在100V的漏源电压（V_DSS）下，于壳温（T_C）25°C时能够连续通过高达80A的电流，展现了其强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为10毫欧。同时，其栅极电荷（Q_g）在4.5V驱动电压下典型值仅为28.3nC，这一特性对于降低开关损耗、提升系统效率至关重要，尤其是在高频开关应用中。其栅源电压（V_GS）范围支持±20V，提供了宽裕的驱动兼容性和鲁棒性。

在接口与参数方面，该MOSFET的输入电容（C_iss）在25V V_DS下最大值为2900pF，结合其低栅极电荷特性，有助于简化驱动电路设计并优化开关速度。其最大功率耗散能力为110W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了器件在极端环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低损耗和高可靠性的综合优势，STH80N10LF7-2AG非常适合应用于汽车领域的DC-DC转换器、电机驱动控制（如电动助力转向、燃油泵、风扇控制）、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业电源、不间断电源（UPS）和电机变频驱动等场景。其汽车级认证使其成为提升系统能效和可靠性的理想功率开关解决方案。

• 型号:STH80N10LF7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH80N10LF7-2AG是ST意法半导体基于STripFET技术开发的AEC-Q101汽车级N沟道功率MOSFET。该器件在100V漏源电压下提供高达80A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（10毫欧 @ 40A, 10V）与优化的栅极电荷（28.3nC @ 4.5V），这共同实现了卓越的功率转换效率和低开关损耗。

器件采用H2PAK-2功率封装，确保了出色的热性能和110W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，满足严苛环境下的可靠性要求。这些特性使其成为汽车电子（如电机驱动、DC-DC转换）和高可靠性工业电源系统中高效功率开关应用的理想选择。