STI55NF03L

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STI55NF03L是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，其核心架构基于先进的平面工艺技术。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式在提供良好散热性能的同时，也确保了在功率应用中的机械稳固性。其设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，这是通过优化的单元结构和制造工艺实现的，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。

该器件具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下可支持高达55A的连续漏极电流，这使其能够处理可观的功率水平。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源电压和27.5A漏极电流条件下，最大值仅为13毫欧，这一低阻值特性直接转化为更高的效率和更低的发热量。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且标准驱动电压范围覆盖4.5V至10V，这使其与常见的逻辑电平驱动电路兼容，简化了系统设计。其栅极电荷（Qg）在4.5V条件下最大值为27nC，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，STI55NF03L展现了宽泛的工作适应性。其栅源电压可承受±16V的最大值，提供了安全的驱动裕量。输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为1265pF，这是评估开关速度的重要参数之一。器件的最大功率耗散能力为80W（Tc），结合其宽广的结温工作范围（-60°C至175°C），确保了其在苛刻环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

基于其性能组合，该MOSFET非常适合应用于需要高效率和高电流处理能力的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关元件、电机驱动控制电路、以及各类电源管理模块，如服务器电源、工业电源和电池保护电路等。其稳健的设计使其成为追求系统效率、功率密度和长期可靠性的工程师的理想选择。

• 型号:STI55NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1265 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI55NF03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其优异的电气特性组合。

其技术参数定义了强大的性能：30V的漏源电压和55A的连续漏极电流处理能力，配合低至13毫欧（@10V，27.5A）的导通电阻，确保了在高电流应用中的高效能与低损耗。同时，其2.5V的最大栅极阈值电压和27nC（@4.5V）的低栅极电荷，使其易于驱动并能实现快速开关，非常适合高频开关电源设计。

此外，器件支持高达80W的功率耗散，并拥有-60°C至175°C的宽结温工作范围，这为其在 demanding 的工业与汽车应用环境中提供了坚实的可靠性保障。